低压电工作业-凯发网站

低压电工作业-初训 扫二维码继续学习

(210人)
· 2020-06-26 · 电子技术基础01

本征激发:在热激发一产生自由电子和空穴对的现象,多子和少子

杂质半导体:人为掺入某种杂质

磷:非常容易产生电子 n型半导体

硼 p型半导体 空穴

pn结:护散 漂移  形成pn结 

正偏

p区接高电位,n区接低电位

利用:二极管  整流 稳压

光电二极管  反向电流随光照强度的增加而上升

发光二极管

晶体三极管 电流放大,发射结正向偏,集电结反向偏 

· 2020-06-21 · 电子技术基础01

            本章复习

 直流电路  欧姆定律  功率换算

电磁感应与磁路  磁电转换规律

单相交流电路  电压 电流有效值与最大值

三相交流电路  相电压线电压相电流 线电流

电子技术常识 二极管 三极管

· 2020-06-01 · 电子技术基础01

公式

· 2020-05-27 · 电子技术基础01
· 2020-05-09 · 电子技术基础01

逻辑电路:

高电位表示为数字“1”

低电位表示为数字“0”

与门逻辑电路真值表。必须两个条件都满足才能实现。

或门逻辑电路,有一个条件满足就能实现。

非门逻辑电路,两个条件必须相反才可实现。

二极管,伏安特性

死区电压为0.5(硅管),0.2(锗管)

作用:稳压,整流。

光电二极管;

发光二极管(广泛应用于节能灯)

晶体管作用:电流放大,满足条件为(发射极正偏,集电极反偏)

共发射极放大电路

晶闸管(可控硅),三级组成,阴极、阳极、门极。

想让其工作必须三极上都加上正向电压。

 

· 2019-09-30 · 电子技术基础01

d w

· 2019-09-23 · 电子技术基础01

本征半导体指纯净的不含杂质的半导体

本征半导体常用的有锗ge 硅si

半导体在热激发下产生自由电子和空穴 

杂质半导体n型半导体磷电子;p型掺硼空穴

pn为p型和n型的结合且具有单向导电性

死区电压  硅管0.5v锗管0.2v

二极管稳压,全波,半波。

三基管放大电流

晶闸管也叫可控硅,控制电路

集成运算放大应用:1反向输入比例运算减法

                               2同相输入比例器加法运算

                                3电压跟随器避免物断开

时序逻辑:触发,寄存,记数。

· 2019-04-02 · 电子技术基础01

本征半导体

鍺ge 硅si

杂质:元素磷 元素硼

n型 多子是自由电子

p型 多子是空穴

pn结 

正偏 p接高电位 n接低电位  导电

反偏  p接低电位 n接高电位 不导电    

三极管 放大电流

b基极 c集电极 e发射极 

晶闸管

k阴极 g门极 a阳极

 

 

· 2019-03-19 · 电子技术基础01

导体 10的4次方

绝缘体

绝缘体 10的12次方

· 2019-01-17 · 电子技术基础01

电子技术常识

半导体

电阻率小于-10000欧的物质称为导体

电阻率大于10的十二次方称为绝缘体

电阻率在两者之间称为半导体

 

本征半导体是指纯净不含杂质的

常用的:鍺和硅

半导体在热激发(加热、光照、及射线照射)下产生自由电子和空穴对的现象

杂质半导体

加入磷 形成n型半导体 

加入硼形成p型半导体

pn结:自建电场阻止扩散,加强漂移

正偏:p区接高电位,n区接低电位

半导体二极管:pn结上加上外壳和引线

二极管伏安特性:死区电压/导通压降

硅管:0.5v/0.7v

锗管:0.2v/.03v

加反向电压太大时会击穿

应用:半波整流

全波/桥式整流

稳压二极管:电流可以有很大变化,电压变化很小

光电二极管:反向电流随光照强度的增加而上升

发光二极管:真想电流时,发特定的光

 

晶体三极管

pnp型和npn型

晶体管具有电流放大作用

发射结正偏,集电结反偏

晶闸管:阳极、阴极、门极

必须在三个极之间加上电压才能导通

对电路起控制作用,也叫可控硅

 

集成放大运算器

反相输入比例运算电路

同相输入比例运算电路

电压跟随器

模拟信号:时间和数值上连续的信号

数字信号:在时间和数值上不连续的(离散)

信号

组合逻辑电路

与门逻辑电路

或门逻辑电路

非门

时序逻辑电路:有逻辑关系有记忆功能

 

· 2018-11-02 · 电子技术基础01

半导体

二极管

光电二极管,发光二极管

三极管

· 2018-10-24 · 电子技术基础01

组合逻辑电路

与门逻辑

ab都满足 则下一步

a  b  f

1   1  1

或门ab一种满足则进行下一步

非门(反向器)

时序逻辑电路有记忆性功能,输入与输出有明确的时间顺序关系

· 2018-10-20 · 电子技术基础01

电压跟随器

数字电路模拟信号:在时间上和数值

组合逻辑电路

逻辑0和1电子的;电路中用高

获得高、低电平的基本方法;

或门       非门(反向器)

时序逻辑电路

 

· 2018-09-03 · 电子技术基础01
· 2018-07-12 · 电子技术基础01

反向输入比例运算电路

 

· 2018-07-03 · 电子技术基础01

 

(•̀ω•́)✧本征半导体锗硅

自由电子

空穴

载流子包括自由自由电子和空穴杂质半导体磷硼n型p型

· 2018-05-28 · 电子技术基础01

1.本征半导体:纯净的不含杂质的半导体。

2.载流子:自由电子 空穴对   多子 少子

3.死区电压:硅管0.5v  锗管:0.2v

  导通压降:si  0.7v   ge 0.3v

4.三极管作用:电流放大

集电极  发射极  

5.集成运算放大器应用:

a.反相输入比例运算电路  

b.同相输入比例器

c.电压跟随器

· 2018-05-22 · 电子技术基础01

-4导,12绝缘

· 2018-05-13 · 电子技术基础01

电阻率小于10的负4次方的物质称为导体;

电阻率大于10的12次方的物质称为绝缘体。

介于导体和绝缘体之间的是本征半导体:锗、锗

本征激发:半导体在热激发下产生自由电子和空穴

杂质半导体:在本征半导体中人为掺入某种“杂质”元素形成的半导体 磷(n型) 硼(p型)

二极管伏安特性 死区电压 硅管0.5v,锗管0.2v

导通压降:硅管0.6-0.7v,锗管0.2-0.3v

晶体管具有电流放大的作用 发射结正向偏置、集电结反向偏置

 

 

· 2018-04-08 · 电子技术基础01
网站地图